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本发明的目的在于防止硅化钛层与Ｐ型杂质层的接触电阻增大、Ｐ型ＭＯＳ晶体管的电流驱动能力降低，在用于形成Ｐ型源、漏区域７的第１Ｐ型杂质离子注入工序和用于激活的热处理工序之后，包括，第２Ｐ型杂质的离子注入工序；用于至少使源、漏区域部位的扩散层非...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

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