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多阈值存储器及其数据写入方法技术
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文档序号:3221243
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本发明揭示一种多阈值存储器。包括可电写入至少具有清除状态和第一写入状态及第二写入状态的存储单元(M);和在所述存储单元(M)上外加写入电压,进行预定写入的写入动作,在所述写入动作后,确认所述存储单元(M)是否达到所述第一写入状态的第一写入确...
该专利属于东芝株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过东芝株式会社授权不得商用。
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