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半导体存贮器件制造技术
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文档序号:3221200
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在一半导体存贮器中,为了消除位线和总线之间耦合电容的不平衡,在位线层和总线层之间配置一层中间层的列选择信号线。并且,将列选择线的宽度增大成能够盖住因有一接触而宽度互不相同的位线,以此用列选择信号线屏蔽位线和总线,并平衡位线和总线之间的耦合电...
该专利属于日本电气株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过日本电气株式会社授权不得商用。
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