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本发明之目的是把电压独立于源区地加到沟道区域（基体区域）上，而不增加布局面积。其构成是在ＳＯＩ衬底的隐埋氧化膜２上面形成沟道区域５的Ｐ型半导体区域，并通过栅绝缘膜７形成栅电极８。形成漏区域３，使之达到隐埋氧化膜２，在源区４和隐埋氧化膜２之间...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

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