温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

在一个包含ＭＯＳ场效应晶体管的半导体器件中，在一硅衬底上面形成一层第一半导体层并有一个栅区。此外，经一层栅氧化膜在第一半导体层上形成第二半导体层并有一个有源区。在此情况下，第一半导体层由一层硅层形成，而第二半导体层则由一层多晶硅形成。这里的...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。