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在制作半导体器件过程中，在形成于硅衬底之上的氧化硅薄膜上，形成具有预定厚度并且与硅衬底电连接的非晶态硅层。通过非晶态硅层进行离子注入，由此混合氧化硅膜与非晶态硅层之间的界面。通过退火非晶态硅层并照射预定材料，在非晶态硅层表面形成成核体。把有...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

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