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在半导体衬底（１００）上制造一种很小的结构宽度的方法，该方法通过一种作为各向异性刻蚀淀积在一个边棱上的第一层，和除去形成该边棱的结构（６０）的结果生成微结构（７０），在此该微结构（７０）的宽度约等于该淀积的第一层的厚度，和该微结构（７０）在...
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