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本发明涉及器件模拟方法，它适当地表达垂直电场与流过ＭＯＳ器件栅极界面的载流子之间的关系；求出第一载流子密度与第二载流子密度的比值，如该比值大于预定的数值；则从该第二网点开始向着衬底的纵深方向上查找第三网点，使得在该网点上的载流子密度与第一网...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

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