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一种防止设在台面的衬垫氮化物下面的基片受化学机械抛光诱发的损坏的方法，其利用化学机械抛光使多晶硅层平面化，直至它向下到达至少介电层的表面，以暴露介电层的一第一区域；用第一蚀刻参数部分蚀刻介电层的第一区域，第一蚀刻参数包括一蚀刻剂源气体，它基...
该专利属于西门子公司;国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过西门子公司;国际商业机器公司授权不得商用。

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