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一种用于对ＲＦ基等离子处理室内的半导体晶片上的第一层进行平面化蚀刻和凹入蚀刻的方法。该方法包括把半导体晶片放入等离子处理室；在半导体的表面和沟槽内沉积第一层；在处理室内进行平面化蚀刻以平面化第一层，平面化蚀刻是以第一离子密度水平进行的；用等...
该专利属于西门子公司所有，仅供学习研究参考，未经过西门子公司授权不得商用。

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