温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种形成单晶半导体层下掩埋氧化区的方法，包括形成氧化速率与具有较快氧化速率的下层不同的外延层和通过掩模内的开口氧化这些层的步骤。可以形成多个氧化物隔离的ＦＥＴ。本发明减少了源／漏寄生电容和短沟道效应，同时通过选择性氧化半导体层隔离ＦＥＴ并消...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。