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在半导体器件制造方法中，ＨＢｒ的气体（腐蚀气体）被制成等离子体，同时其气压保持在等于或小于２ｍＴｏｒｒ，等离子体的离子元素在等于或大于１５０Ｗ的偏置功率下被加速，以腐蚀硅化钛膜１１。然后，ＨＢｒ气体进一步制成等离子体，同时其气压保持在５－１...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

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