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在具有ＳＧＩ构造的半导体元件中，在假定元件形成区域的宽度（有源区宽度）为Ｄ（微米），ＳＧＩ的沟氧化量为Ｔ（微米）和沟的下端部分的曲率半径为Ｒ时，对Ｄ、Ｔ、Ｒ进行选择使得它们满足Ｄ＜０．４↑［（－１００Ｒ＋７）－１］（－２３０Ｔ＋１４．５），...
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