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圆柱形叠式电极的制造方法技术
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文档序号:3219965
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一种制造圆柱形叠式电极的方法,在半导体基片上形成硅膜,在硅膜上面形成绝缘膜,刻蚀所述绝缘膜,开一达到硅膜下面的半导体基片的第一孔,以比第一孔宽的直径贯穿所述绝缘膜形成第二孔,以硅膜作为掩膜开一接触孔,填盖接触孔,形成形状如圆柱形叠式电极的非...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。
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