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一种半导体元件减少钨损失阻挡层的制造方法，所述制造方法至少包括：提供具有一介电层的一元件，至少包括一高高宽比接触窗开口；以化学气相沉积法沉积一氮化钛共形膜；以物理气相沉积法沉积一氮化钛膜；以及以化学气相沉积法沉积一金属钨，至少填入所述高高宽...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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