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公开了一种显著增加了表面积的双柱型层叠电容器以及其工艺简单的制造方法。双柱型层叠电容器包括：形成在半导体衬底上并电连接到所述半导体衬底上的源／漏区的存储接触焊盘；包括所述存储接触焊盘的所述半导体衬底上的绝缘层；具有第一和第二导电柱的所述电容...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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