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一种形成槽隔离的方法包括在半导体衬底上依次形成垫氧化层和有源氮化层。通过腐蚀氮化层和垫氧化层形成槽掩模层。通过使用槽掩模层作掩模腐蚀半导体衬底以形成槽。在槽的底和两侧壁上形成氮化层。在氧化层上形成氧化掩模层，例如氮化物衬垫。淀积槽隔离层足以...
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