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本发明涉及一种硅太阳电池Ｐ－Ｎ结的制作方法，它包括以下步骤：首先在硅片的一面涂上掺杂物源材料，并对此涂层进行干燥处理，以使硅片的一面形成有源面，另一面为无源面，然后将硅片放入扩散炉中焙烧，其特征在于：将所述硅片每两片为一组，且将所述两硅片的...
该专利属于北京市太阳能研究所所有，仅供学习研究参考，未经过北京市太阳能研究所授权不得商用。

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