温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
一种用于集成存储器电路（３００，４００），如ＦＥＲＡＭＳ（３００）等的薄膜铁电材料（５００），包括具有经验化学式：ＳｒＢｉ↓［２＋Ｅ］（Ｎｂ↓［ｘ］ Ｔａ↓［２－ｘ］）Ｏ↓［９＋３Ｅ／２］的钽酸锶铋铌，其中Ｅ是代表范围从零至２的铋的超出剂...该专利属于赛姆特里克斯公司;松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过赛姆特里克斯公司;松下电器产业株式会社授权不得商用。
温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
一种用于集成存储器电路（３００，４００），如ＦＥＲＡＭＳ（３００）等的薄膜铁电材料（５００），包括具有经验化学式：ＳｒＢｉ↓［２＋Ｅ］（Ｎｂ↓［ｘ］ Ｔａ↓［２－ｘ］）Ｏ↓［９＋３Ｅ／２］的钽酸锶铋铌，其中Ｅ是代表范围从零至２的铋的超出剂...