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一种方法，其用于通过差别地把离子注入到晶片，建立使表示ＭＯＳＦＥＴ的性能的指数在许可范围内的条件。该方法包括如下步骤：对于结深度作一条表示能量污染量的曲线，以及确定对于所需结深度的许可能量污染量。通过参照该曲线可以获得基本上没有性能下降的Ｍ...
该专利属于日本电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本电气株式会社授权不得商用。

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