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一种ＤＲＡＭ电容器存储电极的制造方法，利用镶嵌的方法来形成存储电极，可以避免存储单元区和逻辑电路区之间的高度差，因此不需平坦化的步骤即可进行后续的制作工艺，可降低制作工艺的风险，还有，在不影响布局的情况下，利用绝缘间隙壁来将多晶硅层图案化，...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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