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根据本发明具有主位线和辅助位线的半导体器件能够被高速地访问。在半导体器件中，多个辅助位线中的任何一个被选择性地连接到主位线。主位线１和辅助位线３都形成在相同的绝缘膜２６上。存储单元选择字线８的成行的布线层１５形成在绝缘膜２７上。...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。

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