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本发明公开了一种超薄超结IGBT器件及制备方法，包括：金属化集电极；位于所述金属化集电极上的P型集电区；位于所述P型集电区上方的N型FS层；位于所述N型FS层上方的N型FS隔离层；位于所述N型FS隔离层上方的第一N型外延层及位于所述第一N型...
该专利属于上海超致半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海超致半导体科技有限公司授权不得商用。

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