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在硅基板１００内，由浅沟槽１０３所夹的区域里形成集电极层１０２，在基板上沉积第一沉积氧化膜１０８并开一个跨越浅沟槽的一部分的集电极开口部１１０。在露出于该开口部的基板上，使Ｓｉ／Ｓｉ＃－［１－ｘ］Ｇｅ＃－［ｘ］层外延生长。在基板上沉积第二沉...
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