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形成半导体器件的工艺过程，包括在衬底内或在衬底上形成大体上垂直的边缘；在衬底上并沿垂直的边缘形成层（３９）；和蚀刻层（３９）形成隔离层。进行蚀刻可以在（ｉ）蚀刻化学物内的每种含氟蚀刻物质具有每其他原子至少５个氟原子的比率；（ｉｉ）在压力低于...
该专利属于摩托罗拉公司所有，仅供学习研究参考，未经过摩托罗拉公司授权不得商用。

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