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本发明公开了一种偏振可调控的反射式太赫兹发生器，将多层膜结构的自旋太赫兹源与由金属线栅和金属底层构成的金属微阵列结构集成在同一衬底中，通过自旋太赫兹源可以辐射出线偏振太赫兹波，通过外加磁场可以对辐射出的线偏振太赫兹波的偏振方向进行调控。该线...
该专利属于中国工程物理研究院电子工程研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国工程物理研究院电子工程研究所授权不得商用。

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