一种偏振可调控的反射式太赫兹发生器制造技术

本发明专利技术公开了一种偏振可调控的反射式太赫兹发生器，将多层膜结构的自旋太赫兹源与由金属线栅和金属底层构成的金属微阵列结构集成在同一衬底中，通过自旋太赫兹源可以辐射出线偏振太赫兹波，通过外加磁场可以对辐射出的线偏振太赫兹波的偏振方向进行调控。该线偏振太赫兹波与反射型的金属微阵列结构相互作用，最终反射出不同偏振态的太赫兹波。具体的，当外加磁场方向与金属线栅平行或者垂直时，辐射的太赫兹波为线偏振；外加磁场方向与金属线栅成45

【技术实现步骤摘要】
一种偏振可调控的反射式太赫兹发生器


[0001]本专利技术涉及太赫兹光电器件
，特别是涉及一种偏振可调控的反射式太赫兹发生器。

技术介绍

[0002]太赫兹(THz)波是指频率从0.1THz到10THz，介于毫米波与红外光之间的电磁波。太赫兹波具有许多独特性质，比如透射性、安全性、很强的光谱分辨本领等，这些性质赋予太赫兹波广泛的应用前景，包括太赫兹雷达和通信、光谱和成像、无损探伤、安全检测等方面。
[0003]太赫兹发生器是太赫兹系统的重要组成部分。现有常规的太赫兹脉冲产生，主要基于光整流、光电导天线、空气等离子体、自旋太赫兹源等。但它们只能产生线偏振或者圆偏振的太赫兹波，或者用很复杂的方法调控其偏振态；现缺乏简便的偏振可调控的太赫兹发生器。所以如何提供一种可以简便调节偏振的太赫兹发生器是本领域技术人员急需解决的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种偏振可调控的反射式太赫兹发生器，可以简便调节太赫兹波的偏振模式。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种偏振可调控的反射式太赫本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种偏振可调控的反射式太赫兹发生器，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底第一表面的磁性多层膜；所述磁性多层膜的各膜层沿垂直于所述第一表面的方向依次堆叠，形成自旋太赫兹源；位于所述衬底与所述第一表面相对设置的第二表面的金属线栅；所述金属线栅包括多条平行排列的金属条；位于所述金属线栅背向所述衬底一侧表面的隔离层；位于所述隔离层背向所述衬底一侧表面的金属底层；可旋转的外加磁场沿所述磁性多层膜的各膜层表面穿过所述磁性多层膜；所述外加磁场的旋转方向平行于所述衬底的第一表面。2.根据权利要求1所述的偏振可调控的反射式太赫兹发生器，其特征在于，所述磁性多层膜包括至少一层线偏振太赫兹发生单元，所述线偏振太赫兹发生单元包括介质层、第一非磁性层、磁性层和第二非磁性层；所述介质层位于所述线偏振太赫兹发生单元背向所述衬底一侧。3.根据权利要求2所述的偏振可调控的反射式太赫兹发生器，其特征在于，所述磁性多层膜包括多层所述线偏振太赫兹发生单元，多层所述线偏振太赫兹发生单元沿垂直于所述第一表面的方向依次堆叠。4.根据权利要求3所述的偏振可调控的反射式太赫兹发生器，其特征在于，所述线偏振太赫兹发生单元的数量不大于10个。5.根据权利要求4所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王大承，冯正，谭为，孙松，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院电子工程研究所，
类型：发明
国别省市：