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制作半导体器件的方法包含：制作具有存储器阵列区和逻辑器件区的衬底；在衬底上生长厚的栅介质；在存储器阵列区的厚的栅介质上制作包括第一多晶硅层的栅叠层；在逻辑器件区上的衬底上制作薄的栅介质；在逻辑器件区中制作栅叠层的第二多晶硅层以产生得到的结构...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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