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本发明提供了一种图像传感器的制造方法，应用于半导体技术领域。具体的，通过在形成栅极堆叠结构的栅氧化物层之前增加一道热氧化工艺，以在半导体衬底上形成一无差别覆盖的第一氧化层，然后，再通过增加一道光刻工艺，在光电二极管区对应的所述第一氧化层的表...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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