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具有电容器保护层的半导体存储器件以及制备半导体存储器件的方法。半导体存储器件的电容器被具有多层结构的密封层覆盖。密封层包括由不同材料组成的阻隔层和电容器保护层。阻隔层由能防止电容器介质层挥发和／或能防止位于阻隔层之下的材料层与电容器保护层之...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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