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本发明涉及一种存储器单元装置，根据本发明多个存储器单元存在于半导体衬底（１０）的主表面区，其中每个存储器单元各包含至少一个具有源极（２９）、栅极（ＷＬ１或ＷＬ２）和漏极（６０）的ＭＯＳ晶体管，存储器单元主要按照平行存储器单元行的方式安排，其...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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