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本发明涉及半导体技术领域，公开了一种碳化硅JBS器件及其制造方法，该碳化硅JBS制造方法包括以下步骤：S1：在导电衬底层上生长导电外延层；S2：在导电外延层上光刻P型区凹槽，在P型区凹槽内注入P型离子，形成P型区；S3：在每个P型区凹槽内上...
该专利属于重庆平创半导体研究院有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆平创半导体研究院有限责任公司授权不得商用。

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