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低K值蚀刻阻挡层的形成方法和一种半导体器件技术
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文档序号:3217840
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本发明涉及一种在两层介质层中间含有一层居中的蚀刻阻挡层的半导体器件,其中每层的介质常数k≤3.5而且蚀刻阻挡层相对于上层的选择性至少是2.5∶1。还描述了可形成如作为蚀刻阻挡层用的掺氮碳化硅膜的方法和器件。...
该专利属于特利康控股有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过特利康控股有限公司授权不得商用。
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