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一种在衬底上同时制作多晶－多晶电容器、ＭＯＳ晶体管、双极晶体管的方法，它包含下列步骤：在衬底上淀积和图形化第一多晶硅层，以构成所述电容器的第一平板电极和ＭＯＳ晶体管的电极，以及在衬底上淀积和图形化第二多晶硅层，以构成所述电容器的第二平板电极...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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