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一种高电子迁移率晶体管，包括ＧａＡＳ衬底、和在其上依次生长的缓冲层、用ＧａＩｎＮＡｓ材料形成的电子沟道层、空间层、势垒层和帽盖层，以及形成在帽盖层上的源和漏电极，和形成在势垒层上的栅极。...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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