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一种液态前体，用于在集成电路中形成铁电金属氧化物薄膜（３１３），其中包含超过了化学计量平衡量的金属氧化物。当前体包括用于形成锶、铋、钽、铌酸盐的锶、铋、钽和铌时，这个前体包含过量的钽和铌中的至少一种。电容器包含分层超晶格材料的薄膜（３１３）...该专利属于塞姆特里克斯公司;松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过塞姆特里克斯公司;松下电器产业株式会社授权不得商用。
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一种液态前体，用于在集成电路中形成铁电金属氧化物薄膜（３１３），其中包含超过了化学计量平衡量的金属氧化物。当前体包括用于形成锶、铋、钽、铌酸盐的锶、铋、钽和铌时，这个前体包含过量的钽和铌中的至少一种。电容器包含分层超晶格材料的薄膜（３１３）...