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本发明是一种具有低介电常数的中孔二氧化硅膜及其制备方法，该方法具有以下步骤：将表面活性剂结合在二氧化硅前体溶液中，由该溶液混合物旋涂膜，形成部分羟基化中孔膜，将羟基化膜脱羟基得到中孔膜。如本发明所述，在旋涂膜中使用小分子聚氧乙烯醚表面活性剂...
该专利属于贝特勒纪念学院所有，仅供学习研究参考，未经过贝特勒纪念学院授权不得商用。

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