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一种半导体器件的制造方法，在形成在第一绝缘膜１０４上的基板表面部分１０３中形成通到第一绝缘膜１０４的元件隔离用沟１０６以后，利用气相沉积法在元件隔离用沟１０６上沉积第二绝缘膜１０７。结果，彻底抑制了在ＳＯＩ基板上形成沟槽型元件隔离结构时，由...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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