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CMOS工艺中的同轴互连的制作方法技术
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文档序号:3216890
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提供了一种在介电层中制作同轴互连线的方法。此方法包括在介电层中确定沟槽,然后在沟槽中制作屏蔽金属化层。在制作屏蔽金属化层之后,在屏蔽金属化层中沉积共形氧化物层。然后在共形氧化物层中制作中心导体。一旦制作了中心导体,就在中心导体上淀积填充氧化...
该专利属于皇家菲利浦电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过皇家菲利浦电子有限公司授权不得商用。
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