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本发明公开了一种用于半导体膜及类似物的化学气相沉积装置和方法，其中在与所述基体基本上平行的方向上提供原料气体；以与所述基体垂直的方法来向其提供强制气体；且从强制气体引入部分向反应器提供的强制气体在强制气体引入部分的中部的单位面积的流速小于在...该专利属于日本派欧尼股份株式会社;德岛酸素工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本派欧尼股份株式会社;德岛酸素工业株式会社授权不得商用。