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一种形成外延层的方法，包括由第一次淀积处理在基片上淀积缓冲层，随后由第二次淀积处理淀积外延层。通过使用这种双处理，对于每一层的不同材料，通过第一和第二次淀积处理使性能、生长率和成本最佳化。由双淀积处理制备的半导体异质结构包括由ＭＯＣＶＤ在基...
该专利属于CBL技术公司;松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过CBL技术公司;松下电器产业株式会社授权不得商用。

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