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一种用于制造具有浅沟槽隔离的半导体器件方法，在实施例中包括，在衬底中形成沟槽区，所述沟槽区具有基本上平坦的底部、第一和第二侧壁。该方法在沟槽区的底部、第一和第二侧壁上形成电介质衬垫。电介质衬垫为氮化硅化合物。电介质衬垫使阈值电压随宽度（Ｖ＃...
该专利属于皇家菲利浦电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过皇家菲利浦电子有限公司授权不得商用。

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