温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

对沉积了ＳｅＧｅＣ晶体层８的Ｓｉ衬底１进行热退火处理，从而在硅衬底１上形成退火ＳｉＧｅＣ晶体层１０，该退火ＳｉＧｅＣ晶体层１０由被晶格驰豫、且几乎没有位错的矩阵ＳｉＧｅＣ晶体层７和分散在矩阵ＳｅＧｅＣ晶体层７中的ＳｉＣ微晶体６构成。然后，在...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。