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一种使用铟的硫系化物、镓的硫系化物、和铟－镓的硫系化物薄膜的超高密度数据存储介质（９０２），其目的是：形成一些起着光电导、光生伏打、或光致发光的半导体器件作用的位存储区（９０４），当暴露于电磁辐射下时这些位存储区就产生电信号；或形成一些起着...
该专利属于惠普公司所有，仅供学习研究参考，未经过惠普公司授权不得商用。

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