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本发明提供一种多阶存储单元，包括一基底、一第一浮置栅极、一第二浮置栅极及一控制栅极。基底内具有一第一掺杂区、第二掺杂区及位于该第一掺杂区与该第二掺杂区间的信道区。第一浮置栅极绝缘地设置于靠该第一掺杂区侧的信道区上。第二浮置栅极绝缘地设置于靠...
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