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本发明的目的为提供一种即使在高温下的使用导通电阻不会劣化这样的高可靠性高耐压半导体器件。本发明的高耐压半导体器件具有半导体层１；漏极偏置扩散区２；源极扩散区５；漏极扩散区４；埋入到漏极偏置扩散区２内的第一导电型埋入扩散区３；以电浮动状态形成...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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