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一种于二位ＥＥＰＲＯＭ装置（１０）制造ＯＮＯ浮动栅极电极（２６）的方法，包括使用高温氧化物（ＨＴＯ）沉积处理形成顶氧化物层（３２），其中ＨＴＯ处理是在７００至约８００℃温度利用ＬＰＣＶＤ或ＲＴＣＶＤ沉积处理器进行。该方法进一步包括使用原位Ｌ...
该专利属于斯班逊有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过斯班逊有限公司授权不得商用。

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