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半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
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提供能够减少漏电流并且增加电容量的薄膜电容器。上部电极3及下部电极1是由选自TiN,Ti,W,WN,Pt,Ir,Ru的金属或者金属氮化物中的至少一种构成的。电容绝缘膜2则2由选自利用原子层淀积(Atomic Layer Depositi...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。
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