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一种半导体器件，它具有确定在硅衬底主表面上的第一和第二有源区、制作在第一有源区中并具有第一延伸区和深于第一延伸区并被第一浓度的铟掺杂的第一小袋区域的第一ｎ沟道ＭＯＳ晶体管、以及制作在第二有源区中并具有第二延伸区和深于第二延伸区并被低于第一浓...
该专利属于富士通株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通株式会社授权不得商用。

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