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一种ＤＭＯＳ器件（或者ＩＧＢＴ），它包括：ＳｉＣ衬底２、形成在外延层内的ｎ－ＳｉＣ层３（漂移区）、栅极绝缘膜６和栅电极７ａ、将栅电极７ａ包围起来的源电极７ｂ、形成在ＳｉＣ衬底２下面的漏电极７ｃ、ｐ－ＳｉＣ层４、以及从源电极７ｂ端部下方到栅电...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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